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馬場 祐治; 吉井 賢資; 佐々木 貞吉
Surface Science, 357-358, p.302 - 306, 1996/00
被引用回数:9 パーセンタイル:49.91(Chemistry, Physical)固相SiClの1s電子を光励起した時の脱励起過程を調べ、イオンの脱離とオージェ過程の関係を明らかにした。1s共鳴励起後のオージェ過程では、98%以上がスペクテーター型であり、パティシペーター型の寄与は2%以下であった。Cl1s励起では、Clイオンは主としてCl1s8a共鳴励起により脱離するのに対し、Cl1s9t共鳴励起や、より高い励起エネルギーでは、ほとんど脱離しない。これは8a軌道の成分として反結合性Cl3P軌道が多いため、1s軌道から励起された電子(スペクテーター電子)の存在により、Si-Cl結合が弱められたためであると結論した。
馬場 祐治; 吉井 賢資; 佐々木 貞吉
Surface Science, 341, p.190 - 195, 1995/00
被引用回数:14 パーセンタイル:64.57(Chemistry, Physical)SiCl凝縮層に、Si-及びCl-K吸収端付近のエネルギーをもつ放射光を照射した時のイオンの脱離挙動を調べた。Si1s励起ではSi、Cl、SiCl、SiClがほぼ同程度の強度で脱離したが、Cl1s励起では、脱離イオンの80%以上がClであり、内殻励起による脱離に元素選択性があることを見出した。Cl1s励起におけるClイオンは主としてCl1s(8a)共鳴励起により脱離し、Cl1s(9t)共鳴励起や、より高い照射エネルギーではほとんど脱離しない。これは8a軌道の構成成分として反結合性Cl3P軌道が多いため、1s軌道から共鳴励起された電子(スペクテーター電子)の存在により、Si-Cl結合が弱められるためであると結論した。